Портфель устройств ST из карбида кремния включает SiC MOSFET на 650/1200 В, отличающиеся самой высокой в отрасли температурой перехода 200 ° C, для более эффективных и упрощенных конструкций, и SiC-диоды в диапазоне от 600 до 1200 В, которые имеют незначительные потери на переключение и на 15% ниже на прямую напряжение (VF), чем стандартные кремниевые диоды.
Наши сильные стороны
24ч поддержка каждого заказа
Быстрая доставка
Хорошая репутация у клиентов
Большой опыт работы на рынке
