Карбид кремния (SiC) становится наиболее жизнеспособным кандидатом для поиска полупроводникового элемента следующего поколения с низкими потерями из-за его низкого сопротивления ВКЛ и превосходных характеристик при высокой температуре, высокой частоте и высоком напряжении по сравнению с кремнием.
Наши сильные стороны
24ч поддержка каждого заказа
Быстрая доставка
Хорошая репутация у клиентов
Большой опыт работы на рынке
